服務說明

國家太空中心依據國際測試標準規範,提供一站式服務平台,協助客戶執行電子元件之太空規格輻射驗證測試,以滿足航太電子元件規格需求。
輻射測試係應用伽瑪射線與高能質子粒子對半導體電子元件、零件進行照射測試,以檢測微電子元件、電路板和系統輻射耐受性,進而改善電子元件電路保護機制,提升電子元件品質。電子元件透過輻射測試的結果,可以評估出它們是否可以在預期的太空輻射環境中達到預期的任務壽命。


服務項目

電子元件和電路會發生的輻射效應主要有兩種,包括:
(1) 總游離劑量(Total Ionizing Dose,TID)效應: 總電離劑量是在電子材料中由於電子游離輻射的能量沉積而產生的吸收劑量。因電子元件在其使用過程中被輻射游離的累積電荷逐漸增加,導致元件特性逐漸改變,直到最終導致永久性失效無法使用,又稱為硬錯誤(Hard Error)。
(2) 單事件效應(Single Event Effect,SEE):暴露於高能量重離子或質子輻照下的電子設備和集成電路可能會受到單事件效應(SEE)的影響,這可能會大大限制其在太空環境中的使用。由高能質子粒子輻射進入電子元件和電路中,留下臨時的自由電荷所造成的電子件失效情況,又被稱為軟錯誤(Soft Error)。軟錯誤是一種非破壞性故障,可以通過將電路重新編程為正確的邏輯狀態並在發生軟錯誤之後進行糾正。


質子束能量

1. 林口長庚紀念醫院:70~230 MeV
2. 行政院原子能委員會核能研究所:15~30 MeV


設備項目

1. 詳見林口長庚紀念醫院-粒子物理暨照射核心實驗室網站
https://www1.cgmh.org.tw/intr/intr2/c3s000/corelab/PPI/index.html
http://irr.cgu.edu.tw/laboratory.html
2. 詳見行政院原子能委員會核能研究所網站
https://www.iner.gov.tw/
3. 詳見國立清華大學原子科學技術發展中心網站
http://www.nstdc.nthu.edu.tw/


參考規範

• MIL-STD-883
• JEDEC234


服務實績



圖一、於核研所進行電子零件TID(Total Ionizing Dose)質子輻射測試


圖二、 於長庚質子中心進行電子元件SEE(Single Event Effect)質子輻射測試


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